|
二.关于内存标识的识记与相关产品。
在此我们先从总体上介绍一下内存标注的普遍规律，再根据不同品牌产品的标注特点进行介绍，并列举出一些市场上常见的各种品牌的内存产品来。在内存芯片的标识中通常包括以下几个内容：厂商名称、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，其中还可能有电压、容量系数和一些厂商的特殊标识在里面。如以“??xxx64160AT-10”为例，最前面的“??”代表的是芯片生产厂商的标志，厂商代号如下：HY（Hyundai现代电子)，AAA(NMB),
GM(LG-Semicon), HYB(Siemens西门子), LH(SHARP), KM或M(Samsung三星)，M5M(Hitsubishi)，MB(Fujitsu),
MCM(Motorola), MN(Matsushita)，MSM(OKI), MT(Micron)，TC或TD(Toshiba东芝)，TI(TMS德州仪器)，HM(Hitachi日立)，TM(STI),
uPD(NEC)，NN(NPNX)，BM(IBM)；xxx代表厂商的内部标识；64是指64Mbit的容量（注意是bit[位]，而不是Byte[字节]）；16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统来说，至少需要4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条。这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64Mbit/8*4=32MB，它就是32MB一条的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是64MB一条的内存。如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须要两条SIMM内存条同时使用才能满足总线宽度的要求：16bit*2片*两条=64bit的总线宽度--这在上面已经提及的；0表示这是一条SDRAM；在“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO
RAM，双数则是SDRAM。
对于PC 100内存产品的编号一般表示为：PCX-ABC-DEF的形式。X代表工作频率，66MHz或100MHz等；A代表最小的CAS
Latency数，时钟数一般为2或3；B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2；C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2；D代表最大tAC（Access
time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值；E代表SPD的版本号V1.2；F是一个保留值为0。
下面就来介绍一下常见的内存厂家的产品及其标识的意义，并连带说一些芯片之间优略的比较。其中一些注出的超频极限内存信息为小道消息，仅供参考。
I. LGS（LG-Semicon）：
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
GM72V66841CT-7J
|
3
|
133
|
|
LG8
(CT8)
|
2
|
124
|
|
-7J/-7K
|
3
|
112
|
|
-8
|
3
|
133
|
|
GM72V56441BT/BLT
GM72V56841BT/BLT
|
3
|
133
|
|
GM72V28441AT/ALT
GM72V28841AT/ALT
|
3
|
133
|
|
GM72V661641C
T-7J
|
|
|
|
GM72V16821D
T-7K
|
|
|
|
PC 66
|
-10K
|
3
|
112
|
|
|
GM72V161621ET
|
3
|
143
|
|
PC 133
|
GM72V281641AT/ALT
|
3
|
143
|
|
GM72V561641BT/BLT
|
3
|
133
|
|
-75
|
3
|
133
|
|
-7
|
3
|
142
|
注意：-10K不是PC 100的产品！-7K和-7J 不是PC 133的产品！-8的性能比-7K和-7J都要好，且-7K比-7J的性能要好一点儿，要是-7J的条子后有AG2/3/4/6的字样，那么AG2的最好，AG6的最差！通式：GM72V
ab cd e 1 f g T hi。
- ab：容量（Mbit）
- cd：数据位宽（位）
- e：内存条包括的Bank数
- f：内核的版本号（越往后越新，可为空白）
- g：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
- hi：速度
II.
现代电子（Hyundai）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
-8
|
3
|
125
|
|
HY57V658020TC-10
|
3
|
112
|
|
-10S
|
3
|
112
|
|
-10P
|
3
|
112
|
|
HY57V1294020
|
|
|
|
HY57V651620ATC-10P
|
|
|
|
HY57V658020ALTC-10P
|
|
|
|
HY57V168010C
TC-10P
|
|
|
|
HY57V168010C
TC-10S
|
|
|
|
HY57V658020A
TC-10S
|
|
|
|
HY57V651620A
TC-10S
|
|
|
|
PC 66
|
HY57V168010A
TC-10
|
3
|
112
|
|
HY57V168010B
TC-10
|
3
|
124
|
|
TFG-10
|
3
|
103
|
|
T-10K
|
3
|
100
|
|
10B-TC10
|
3
|
100
|
注意：-10不是PC 100的产品！-8的性能比-10P和-10S都要好！通式：HY5a
b cde fg h 0 i j kl-mn。
- 5a：芯片类型，57为SDRAM；5D为DDR
- b：电压，V为3.3v，U为2.5v，空白为5v
- ced：容量（Mbit）和刷新速度（k
Ref.）
- fg：数据位宽（位）
- h：内存条包括的Bank数，1、2、3分别为2、4、8个Bank
- 0：INTERFACE界面，0：LVTTL；1：SSTL(3)；2：SSTL_2；3：Mixed
Interface；
- i：内核的版本号（越后越新，可为空白）
- j：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
- kl：封装形式的编号
- m：速度
- n：通常P比S的好一些
III.
三星电子（Samsung）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
KMXXXSXXXXBT-G8
|
3
|
139
|
|
KMXXXSXXXXBT-G7
|
3
|
133
|
|
KMXXXSXXXXBT-8
|
3
|
125
|
|
KMXXXSXXXXBT-H
|
2
|
100
|
|
KMXXXSXXXXBT-L
|
3
|
100
|
|
KM48S8030CT-G7
|
3
|
143
|
|
KM48S8030BT-GH
|
2
|
133
|
|
-GL
|
3
|
112
|
|
KM
48S8030CT-G8
|
3
|
133
|
|
KM44S64230AT-GL
|
|
|
|
KM48S8030BT-GL
|
|
|
|
KM48S2020CT-GL
ES
|
|
|
|
PC 66
|
KMXXXSXXXXBT-10
|
3
|
100
|
|
-G10
|
3
|
103
|
|
-G12 G2
|
3
|
100
|
|
PC 133
|
KM48S8030CT-GA
|
|
|
注意：-10不是PC 100的产品！-8的性能比-GL和-GH的都要好！KMXXXSXXXXBT-G7是真正的支持7ns的SDRAM，能是在CAS为3下稳定的工作，-GH系列也是很好的产品。通式：KM4
ab S cd 0 e f gT-h
- ab：数据位宽（位）
- ab*cd=容量（Mbit）
- e：内存条包括的Bank数，1、2、3分别为2、4、8个Bank
- f：内存接口，0=LVTTL、1=SSTL
- g：内存版本，空白=第1代、A=第2代、B=第3代
- T：封装类型，T = TSOP II
(400mil)
- h：电源供应，G=自动刷新、F=低电压自动刷新
IV.
日立（Hitachi）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
HM5264165TT-B60
|
3
|
112
|
|
HM5264805TT-B60
|
|
|
|
PC 66
|
HM5216805TT-10H
|
3
|
112
|
通式：HM 52 ab cd 5 e f TT-gh
- ab：容量（Mbit）
- cd：数据位宽（位）
- e：内核的版本号（越后越新，可为空白）
- f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
V. NEC
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
μPD4564841G5
|
2
|
133
|
|
A10-JF
|
2
|
124
|
|
-80
|
3
|
124
|
|
-10
|
3
|
112
|
|
-A80
|
3
|
133
|
|
μPD4564821G5-A10-9JF
|
3
|
125
|
|
μPD4564821G5-A80-9JF
|
3
|
125
|
|
μPD4564841G5-A10-9JF
|
|
|
|
μPD4564163G5-A10-9JF
|
|
|
|
PC 133
|
-A70
|
|
|
|
-A75
|
|
|
|
PC 66
|
μPD4516821G5
|
3
|
100
|
|
-10B
|
3
|
100
|
|
-12
|
|
|
注意：-12不是PC 100的产品，-10B也不是PC 100的产品！但-10B的性能要比-12的好！-80的性能要比-10的性能要好！通式：D45
ab c d eG5-Afg h-ijk
- ab：容量（Mbit）
- c：数据位宽（位）
- d：内存条包括的Bank数，3、4都表示4个
- e：内存接口，1=LVTTL
VI.东芝（Toshiba）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
-80H
|
3
|
124
|
|
MC16V64E8S4G8T
|
2
|
124
|
|
TC59S6408BFT-10
|
2
|
124
|
|
TC59SxxxxBFT(x)-80
|
3
|
125
|
|
TC59SM716FT-80
|
|
|
|
TC59S6416BFT-80
|
|
|
|
TC59S6416BFT-80
|
|
|
|
A56877
|
|
|
|
PC 133
|
TC59S6404BFT-80A
|
|
|
|
TC59S6408BFT-75
|
|
|
注意：-10不是PC 100的产品！通式：TC59S ab cd e FT
f-gh。
- ab：容量（Mbit），M7为128Mbit
- cd：两位都代表数据位宽（位）
- e：内核的版本号
- f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
VII.
富士通（Fujitsu）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
MB
8UV64B4C-10xT-S
|
2
|
112
|
|
MB
81F64842B-103FN
|
|
|
|
MB
81F641642B-103FN
|
|
|
|
MB
81F16822B102FN
|
|
|
|
PC 66
|
MB
81117822A-100
|
3
|
103
|
通式：MB81 a bc de f2 g-hij k FN
- a：F为符合PC 100规范的产品，1为符合PC
66规范的产品
- bc：容量（Mbit）
- de：数据位宽（位）
- f：内存条包括的Bank数
- g：内核的版本号（越后越新，可为空白）
- k：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
VIII.
三菱（Mitsubishi）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
M5M4V64S30ATP-8
|
3
|
124
|
|
M5M4V64S40ATP-8
|
3
|
112
|
|
-8A
|
3
|
124
|
|
-7
|
3
|
112
|
|
M2V64S30BTP
-8A
|
3
|
125
|
|
M5M4V16S30DTP-8
|
|
|
|
M5M4V64S40ATP-8
|
|
|
|
PC 66
|
M5M64S30ATP-8
|
3
|
103
|
|
-10
|
|
|
注意：-10不是PC 100的产品！通常-7要比-8
的性能要好一些，-8A的性能也比-8的性能要好！-7K比-7J的性能要好！通式：M4
V ab S c 0 d TP-ef g
- ab：容量（Mbit）
- c：数据位宽（位），2、3、4分别代表4位、8位、16位
- d：内核的版本号（越后越新，可为空白）
- g：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
IX.
西门子（Siemens）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
AT-8
|
2
|
124
|
|
-AT10
|
3
|
112
|
|
HYB39S64160AT/ATL
-8
|
3
|
125
|
|
HYB39S64xxxAT/ATL
-8B
|
3
|
100
|
|
HYB39S16800CT-8
|
|
|
|
HYB39S64800AT
|
|
|
|
PC 66
|
HYB39S64160AT-10
|
2
|
112
|
|
HYB39S16800T-8
|
3
|
103
|
|
AT-10
|
3
|
100
|
通式：HYB39S ab cd 0 e T f -g
- ab：容量（Mbit）
- cd：数据位宽（位）
- e：内核的版本号（越后越新，可为空白）
- f：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
X.
麦康（Micron）
|
标准
|
型号
|
CAS
|
超频极限
|
|
PC 100
|
MT48LC8M8A2
TG-8C
|
3
|
133
|
|
-8b
|
3
|
112
|
|
MT48LC8M8A2TG-8A/B/C
|
3
|
125
|
|
MT48LC8M8A2TG
-8D/-8E
|
3
|
125
|
|
PC 133
|
MT48LC8M8A2TG-75
|
3
|
150
|
|
PC 66
|
MT48LC2M8A1
TG-10S
|
3
|
124
|
注意：-10不是PC 100的产品！-8B、-8C和-8E的性能相差不多，但-8E的版本最新最好！通式：MT48
ab cd M ef Ag TG-hi j。
- ab：芯片类型，LC为SDRAM；46V为DDR
- cd*ef=容量（Mbit）
- ef：数据位宽（位）
- Ag：AX代表Write Recovery（tWR），A2为tWR=2CLK
- i：内核的版本号（越后越新，性能越好）
- j：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
（待续）
|
